하이닉스는 HP와 저항변화메모리(Re램) 상용화를 위한 공동개발 계약을 체결했다고 1일 밝혔다.
Re램은 두 개의 금속전극 사이에 절연막을 삽입한 매우 간단한 구조의 메모리 소자로,낸드플래시의 속도와 대용량화의 한계를 모두 극복할 수 있을 뿐만 아니라 에너지 효율적인 차세대 메모리로 평가 받고 있다.
이번 계약은 Re램 구현 방법 중 하나인 HP의 멤리스터(Memristor) 기술력과 하이닉스의 메모리 반도체 기술경쟁력을 활용하기 위한 것으로, 하이닉스 R&D 팹에서 공동개발이 진행된다.
메모리(Memory)와 저항(Resistor)의 합성어인 멤리스터 기술은 전류가 흐르는 방향과 양에 따라 저항을 변화시키고, 전원이 공급되지 않는 상태에서도 직전의 저항 상태를 기억할 수 있게 한다.
멤리스터 기술을 적용한 Re램은 현재의 낸드플래시보다 쓰기 속도가 100배 이상 빠르고, 공정 미세화에 따른 한계를 해결할 수 있어 보다 많은 정보를 저장할 수 있다는 설명이다.
박성욱 하이닉스 최고기술책임자(CTO) 부사장은 “기존에 개발중인 P램, STT-M램과 더불어 HP와의 Re램 공동개발로 차세대 메모리 경쟁력을 더욱 강화할 것”이라며 “향후 시장변화와 고객요구에 능동적으로 대응해 미래지향적 사업 역량을 지속적으로 확충할 것”이라고 말했다.
뉴스토마토 손정협 기자 sjh90@etomato.com
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