삼성전자, 첨단 '3D-TSV' 패키지 D램 모듈 개발

기존 메모리보다 성능 대폭 확대

[뉴스토마토 손정협기자] 삼성전자(005930)가 첨단 반도체 패키지 기술을 적용해 기존 제품보다 대폭 성능을 향상시킨 D램 모듈을 개발하는 데 성공했다.

 

삼성전자는 '3D-TSV(Through Silicon Via)' 기술을 적용한 D램 칩으로 8GB DDR3 RDI(Registered Dual Inline)메모리모듈을 제조해 성능 테스트를 마쳤다고 7일 밝혔다.

 

3D-TSV 기술은 수십 마이크로미터(㎛) 두께로 얇게 만든 실리콘 칩에 직접 구멍을 뚫고, 이 칩들을 수직으로 쌓아 관통 전극으로 연결하는 최첨단 패키징 기법이다.

 

이 기술은 쌓아 올린 칩을 와이어로 연결하는 기존 와이어 본딩(Wire bonding) 방식에 비해 70% 가량 빠르게 동작하는 것은 물론 칩의 두께를 줄이고 소비전력도 40% 줄일 수 있다.

 

또 기존 제품에 비해 2~4배 큰 대용량을 구현해 메모리 용량을 늘릴 수 있다.

 

이에 따라 이 기술을 채택한 서버 시스템은 성능을 최소 50% 이상 향상시킬 수 있을 것으로 보인다.

 

삼성전자는 오는 2012년쯤 제품을 상용화해 서버용 메모리로 공급할 방침이다.

 

김창현 삼성전자 반도체사업부 전무는 "지난 2008년에 3D-TSV 적층 칩을 개발한 데 이어, 이번에 이를 탑재한 메모리 모듈을 개발함으로써 고객들이 최고 성능의 친환경 서버를 개발하는데 기여할 수 있게 됐다"며, "앞으로도 3D-TSV 기술 기반의 대용량 메모리 솔루션을 지속적으로 출시해 고성능 서버 시장을 이끌어 나갈 것"이라고 말했다.

 

뉴스토마토 손정협 기자 [e-mail]

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