시스템반도체 R&D 2400억 투입…"종합 반도체 강국 도약"
매출 1000억원 이상 펩리스 육성 목표 R&D
실리콘카바이드 등 차세대 전력 반도체 지원
핌 반도체 기술 선점, 9900억 예타 사업 추진
2021-02-01 15:22:53 2021-02-01 15:22:53
[뉴스토마토 정성욱 기자] 정부가 시스템반도체를 집중 육성하기 위해 2400억원 규모의 연구개발(R&D) 지원에 나선다. 국내 중소 팹리스(반도체 설계 전문 업체)의 창업과 혁신 기술개발을 돕고, 전력 반도체·차세대 센서·인공지능(AI) 반도체 등 유망 품목의 인프라도 확충한다.
 
산업통상자원부는 1일 과학기술정보통신부, 중소벤처기업부와 정부서울청사에서 열린 ‘제3차 혁신성장 BIG3 추진회의’를 통해 ‘글로벌 K-팹리스 육성을 위한 시스템반도체 기술혁신 지원 방안’을 발표했다.
 
먼저 정부는 매출 1000억원 이상의 글로벌 K-팹리스를 육성하기 위해 ‘챌린저형 R&D’를 신설한다. 성장 가능성이 높은 팹리스를 대상으로 자유 공모를 통해 전략 제품 개발을 지원할 예정이다. 올해는 총 4개 기업을 선정, 기업당 3년간 55억원을 지원할 방침이다.
 
시스템반도체 수요 기업과 팹리스가 연계한 공동 R&D 과제도 지속적으로 발굴한다. 2029년까지 1조원을 투입하는 차세대 지능형 반도체 기술개발 R&D 지원이 대표적이다.
 
국내 중소 팹리스의 창업도 집중 지원한다. 팹리스 창업기업 지원·혁신 기술개발을 위한 R&D에 올해 143억원 이상을 지원할 예정이다.
 
산업통상자원부는 1일 과학기술정보통신부, 중소벤처기업부와 차세대 전력반도체 등 시스템반도체 육성에 2400억원을 투입하는 내용의 ‘시스템반도체 기술혁신 지원 방안’을 발표했다. 사진은 차세대 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체 생산 공정의 모습. 사진/뉴시스
 
디지털·그린 뉴딜의 핵심 부품인 전력 반도체와 차세대 센서에 대한 R&D도 강화하는 등 유망 시장 선점을 꾀한다.
 
실리콘카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 반도체 등 신소재 기반 차세대 전력 반도체를 상용화 하기 위한 R&D 신설도 검토한다. 전력 반도체는 높은 내구성과 전력 효율을 바탕으로 성장 가능성이 높은 만큼 초기 시장 선점을 돕겠다는 목표다.
 
또 데이터 수집용 차세대 센서 R&D를 지원하기 위해 5340억원 규모의 예비타당성 사업도 추진한다. 센서 제조 혁신 플랫폼 구축, 실증 테스트베드 설립을 통한 주력산업의 데이터 수요 증가에도 대응한다.
 
새로운 시장인 AI 반도체 분야 지원에도 집중한다. AI반도체 R&D의 핵심 사업인 차세대 지능형 반도체 기술 개발에도 올해 1223억원을 투입한다. 이는 지난해 831억원에서 392억원 늘어난 규모다. 
 
미래 컴퓨팅 패러다임을 바꿀 핌(PIM·메모리와 프로세서 통합) 반도체 기술을 선점하기 위해 9924억원 규모의 대규모 사업도 추진한다. 이를 위해 현재 예비타당성조사가 진행 중이다.
 
성윤모 산업부 장관은 “10년간 총 2조5000억원이 투입되는 3대 프로젝트가 우리 반도체 생태계 전반에 활력을 불어넣을 것”이라며 “2030년 종합 반도체 강국 도약을 반드시 실현하겠다”고 강조했다.
 
세종=정성욱 기자 sajikoku@etomato.com
이 기사는 뉴스토마토 보도준칙 및 윤리강령에 따라 김기성 편집국장이 최종 확인·수정했습니다.

ⓒ 맛있는 뉴스토마토, 무단 전재 - 재배포 금지

지난 뉴스레터 보기 구독하기
관련기사