삼성전자, 7.8조 투자한 中 시안 반도체 공장 '첫 삽'

[뉴스토마토 황민규기자] 삼성전자(005930)가 중국 산시 시안에 차세대 낸드 플래시 메모리 반도체 생산라인 건설을 시작했다.

 

12일(현지시간) 중국 시안에서 열린 기공식 행사에는 중국정부를 대표해 참석한 자오러지 산시성 서기과 이규형 주중대사와 윤상직 지식경제부 차관, 권오현 삼성전자 대표이사를 비롯한 삼성전자 경영진이 참석했다.

 

이날 행사에서 리커창 중국 국무원 부총리는 축하 서신을 통해 "이번 10나노미터급 플래시메모리 프로젝트는 한국과 중국, 양국의 강점을 살려 정보산업 분야의 긴밀한 협력을 통해 이룩한 중요한 성과"라고 말했다.

 

권오현 대표이사는 "한중 수교 20주년을 맞아 첨단 과학과 교육의 도시인 시안에서 기공식을 갖게 돼 영광"이라며 "삼성전자는 메모리산업에서 세계 1위 자리를 유지해 왔으며 향후에도 '삼성중국반도체'를 통해 최고의 제품으로 인류사회에 공헌할 것"이라고 말했다.

 

삼성전자의 시안 공장은 초기 투자금액 23억달러, 총 투자 규모 70억달러로 2014년부터 첨단 10나노급 낸드플래시 메모리를 생산 할 계획이다. 이번 투자는 삼성의 중국 투자 중 역대 최대 규모다.

 

시안은 최근 중국정부가 추진하는 서부대개발의 과학기술 중심도시로 꼽힌다. 또 반도체 생산라인 운용에 필요한 산업 용수와 전기 공급이 원활하고 글로벌 IT기업의 생산 중심지 및 연구 거점으로 성장하고 있어, 향후 삼성이 국제협력을 강화하는데 최적의 장소로 평가 받아왔다.

 

뿐만 아니라 시안에는 37개의 대학교와 3000여개의 연구 기관이 위치하고 있어, 반도체 산업에서의 핵심인 우수인재 확보에도 용이한 것으로 알려졌다. 삼성전자는 이미 11일 시안시에 위치한 서북공대와 양해각서(MOU)를 체결해 현지 인력 양성을 위한 노력을 시작한 것으로 전해졌다.

 

◇사진 왼쪽부터 정연주 삼성물산 대표이사, 마중핑 성정협 주석, 이규형 주중 한국대사,자오러지 산시성 서기, 권오현 삼성전자 대표이사, 자오쩡융 섬서성 성장,윤상직 지식경제부 차관, 샹삥 중앙공신부 부부장

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