하이닉스, 30나노급 4Gb DDR3 D램 개발

[뉴스토마토 손정협기자] 하이닉스(000660)반도체가 최첨단 30나노급 D램 시장에 본격적으로 진입한다. 

 

하이닉스는 업계 최초로 30나노급 공정을 적용한 고용량 4Gb DDR3 D램을 개발하는 데 성공했다고 29일 밝혔다.

 

또 내년 1분기부터는 삼성전자(005930)에 이어 30나노급 2Gb DDR3 D램 양산에도 들어간다.

 

30나노급 D램은 기존 40나노급에 비해 생산성이 70%가량 향상, 원가경쟁력이 높아진다.

 

최대 2133Mbps의 데이터 처리속도를 구현해 기존 1333Mbps 제품보다 처리속도가 60% 가량 빨라졌다.

 

2133Mbps는 영화 3~4편에 해당되는 4.2GB 데이터를 1초만에 처리할 수 있는 속도다.

 

이번에 개발한 30나노급 4Gb DDR3 D램은 대용량 프리미엄 서버와 고사양 PC에서 요구하는 고용량ㆍ고성능ㆍ저전력 특성을 만족시키는 제품이다.

 

 

30나노급 2Gb D램은 1.25V의 초저전압과 친환경 기술을 적용, 40나노급 2Gb 제품보다 60% 이상 전력소모를 줄일 수 있다.

  

박성욱 하이닉스 연구개발제조총괄본부장(부사장)은 “하이닉스는 현재 전체 D램 생산량의 50% 가량을 2Gb 제품으로 생산하고 있다"며 "앞으로 고용량ㆍ고성능ㆍ저전력 제품 비중을 지속적으로 확대해 프리미엄 시장을 주도적으로 이끌어 나갈 것”이라고 말했다.

 

한편 시장조사기관 아이서플라이에 따르면 2Gb D램 비중은 올해 4분기 30% 수준에서 내년 3분기에는 50%를 넘어설 전망이다. 4Gb D램은 내년 말부터 시장이 형성돼 2014년에는 43%까지 비중이 확대될 것으로 예상된다.

 

뉴스토마토 손정협 기자 [e-mail]

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