SK하이닉스, '전력 25% 절약' 모바일 D램 개발

속도 33% 향상…세계 최초 'HKMG 공정' 적용

[뉴스토마토 신태현 기자] SK하이닉스(000660)가 세계 최초로 모바일용 D램에 ‘HKMG(하이 케이 메탈 게이트)’ 공정을 도입한 LPDDR5X를 개발했다. 속도가 33% 빨라진데다 소비 전력을 4분의1 만큼 줄였다.

 

SK하이닉스는 LPDDR5X 개발을 완료하고 최근 판매를 시작했다고 9일 밝혔다. 

 

SK하이닉스(000660)는 LPDDR5X 개발을 완료하고 최근 판매를 시작했다고 9일 밝혔다. (사진=SK하이닉스)

 

해당 제품은 업계 최초로 모바일용 D램에 HKMG 기술이 적용됐다. 유전율이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정이다.

 

이로써 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 정한 초저전압 범위인 1.01~1.12V에서 작동하면서 이전 세대 대비 소비전력을 25% 줄이는 데 성공해 업계 최고의 전력사용 효율성을 확보했다는 설명이다. 이전 세대 대비 33% 빠른 8.5Gbps의 동작 속도를 보이기도 한다.

 

모바일용 D램으로 불리는 LPDDR의 경우 규격명에 낮은 전력 소비가 최대 관건이다. 모바일은 전력이 한정돼 있기 때문에 제품 사용 시간을 늘리기 위해선 전력 소비를 최대한 줄여야하기 때문이다.

 

해당 제품이 적용된 모바일 디바이스는 한번 충전으로 더욱 오랜 시간 사용할 수 있을 것으로 보인다. 개발진 이욱재 PL은 “LPDDR5X가 적용된 스마트폰의 경우 이전 세대의 스마트폰과 비교해 사용시간이 더욱 늘어날 것”이라며 “이는 소비자 입장에서 1회 충전으로 더 오래 사용할 수 있다는 장점도 되겠지만 그만큼 충전 빈도수도 줄어드는 것"이라고 설명했다. 이어 "전기를 덜 쓰게 되는 것이고 이는 결국 탄소 절감 효과로도 이어질 수 있다”고 덧붙였다.

 

신태현 기자 [e-mail]

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